Каков объем рынка диодов в отрасли связи?

一, Размер рынка диодов в отрасли связи: скачок от миллиардов к миллиардам
1. Глобальный рынок: к 2025 году масштаб превысит 42 миллиарда долларов США, а доля сферы коммуникаций превысит 30%.
Согласно авторитетным статистическим данным, ожидается, что к 2024 году мировой рынок полупроводниковых диодов достигнет 38,7 миллиардов долларов, а к концу 2025 года превысит 42 миллиарда долларов. Среди них индустрия связи, как вторая по величине область применения, составила около 32% доли рынка с объемом 13,44 миллиарда долларов США. Этот рост в основном обусловлен:
Строительство базовых станций 5G. Число базовых станций 5G в мире выросло с 700 000 в 2020 году до 4 миллионов к 2025 году, при этом каждая базовая станция требует более 10 000 высокочастотных-диодов, что приводит к увеличению спроса на 300 %;
Модернизация оптической связи. Спрос на соединение центров обработки данных стимулировал рынок оптических модулей 400G/800G, для которых требуется 4-8 высокоскоростных фотодиодов на модуль. К 2025 году мировой рынок оптических модулей достигнет 18 миллиардов долларов, что косвенно будет стимулировать спрос на диоды;
Взрыв спутникового Интернета: в рамках плана звездной цепочки SpaceX было развернуто более 6000 спутников, а в рамках планов Китая «Созвездие GW» и «Звездная цепочка G60» в общей сложности было запущено более 20 000 спутников. Спрос на радиационно-стойкие и высоконадежные диоды для низкоорбитальной спутниковой связи резко возрос.
2. Китайский рынок: к 2025 году масштаб достигнет 2,257 миллиарда долларов США, а уровень внутреннего замещения увеличится до 65%.
В 2024 году объем рынка полупроводниковых диодов Китая, крупнейшего в мире производителя коммуникационного оборудования, достигнет 2,257 миллиарда долларов США, а годовой рост-по сравнению с-годом составит 15,33 %, при этом на сектор связи будет приходиться 38 %. К ключевым движущим факторам относятся:
Политические дивиденды. Третий этап Национального инвестиционного фонда индустрии интегральных схем направлен на поддержку исследований и разработок полупроводниковых материалов третьего-поколения и предусматривает снижение налога на добавленную стоимость на 15 %-для диодов, соответствующих автомобильным стандартам;
Рост местных предприятий: Yangjie Technology, Suzhou Gude и другие компании объединили свои производственные цепочки с помощью модели IDM, добившись прорыва в производстве SiC-диодов Шоттки, высокочастотных-диодов GaN и других областях. В первом квартале 2025 года чистая прибыль Yangjie Technology, приходящаяся на материнскую компанию, увеличилась на 51,22 % в годовом исчислении-по сравнению с-годом;
Рост экспорта. С января по апрель 2025 года объем экспорта диодов из Китая достиг 229 миллиардов единиц, годовой-по сравнению с-годовым приростом составил 14,21 %, при этом доля диодов для связи составила 28 %.
2. Тенденции развития диодных технологий в отрасли связи: переход от кремниевых-полупроводников к полупроводникам третьего-поколения.
1. Высокая частота: миллиметровые волны 5G генерируют диоды со сверх-малыми потерями.
Расширение диапазона частот 5G в сторону миллиметровых волн (24–100 ГГц) предъявляет жесткие требования к времени обратного восстановления (trr) и емкости перехода (Cj) диодов.
Традиционное решение: обычный диод с быстрым восстановлением trr ≈ 50нс, с потерями 1,2дБ в диапазоне частот 28ГГц;
Инновационный прорыв: высокочастотный диод на основе GaN- сокращает время trr до 7 нс, уменьшает Cj до 0,1 пФ и имеет потери всего 0,3 дБ в диапазоне частот 28 ГГц. Он был применен к оборудованию Huawei 5G AAU;
Применение на рынке. К 2025 году объем мирового рынка высокочастотных-диодов 5G достигнет 820 миллионов долларов США, а совокупный годовой темп роста составит 45 %.
2. Устойчивость к высоким температурам. Спрос на охлаждение центров обработки данных стимулирует популяризацию SiC-диодов.
Плотность мощности одного шкафа в дата-центре превысила 50 кВт. Традиционные кремниевые-диоды испытывают серьезное ухудшение характеристик при температуре выше 125 градусов, в то время как SiC-диоды:
Рабочая температура: до 200 градусов и выше, с продлением срока службы в 5 раз на каждые 100 градусов повышения температуры перехода;
Повышение энергоэффективности. В блоках питания серверов 48 В/12 кВт карбид-кремниевые диоды повышают эффективность на 2,3 % по сравнению с продуктами на основе кремния-, что позволяет ежегодно экономить более миллиона юаней на счетах за электроэнергию для одного центра обработки данных;
Размер рынка: к 2025 году объем мирового рынка SiC-диодов для центров обработки данных достигнет 370 миллионов долларов США, при этом на долю Китая будет приходиться более 40%.
3. Интеграция: интеллектуальные силовые модули (IPM) стали мейнстримом.
Потребность в миниатюризации и высокой надежности оборудования связи стимулирует интеграцию диодов с MOSFET и IGBT.
Технические преимущества: объем модуля ИПМ уменьшен на 60%, интенсивность отказов снижена на 80%;
Сценарий применения: после внедрения модулей IPM в базовых станциях 5G ZTE плотность мощности увеличивается до 500 Вт/дюйм³, а энергопотребление снижается на 15 %;
Прогноз рынка: к 2025 году объем мирового рынка коммуникационного IPM достигнет 1,28 миллиарда долларов США, а совокупный годовой темп роста составит 22%.
3. Структура конкуренции диодов в отрасли связи: внутреннее замещение и технологический прорыв.
1. Международные гиганты монополизируют-рынок элитного сегмента, в то время как местные предприятия ускоряют прорывы.
Infineon и Anson: занимают 70% мирового рынка автомобильных SiC-диодов, при этом цена за единицу продукции достигает 18-22 юаней за штуку;
ROHM Semiconductor: ведущая компания в области высокочастотных-диодов GaN, ее продукт имеет время обратного восстановления всего 3 нс и используется в модуле миллиметрового диапазона 5G в Apple iPhone 15;
Местный прогресс: компания Changjing Technology добилась массового производства 6--дюймовых пластин SiC, стоимость которых на 30 % ниже, чем у мировых гигантов; Suzhou Gude производит 250 миллионов диодов в месяц и экспортирует их в 43 страны. Чистая прибыль, приходящаяся на материнскую компанию, в первом квартале 2025 года увеличилась на 395,60%-по сравнению с аналогичным периодом прошлого года.
2. Совместные инновации в производственной цепочке, движимые политикой
Локализация материалов: мощности по производству SiC-подложек таких предприятий, как Tianyue Advanced и Shuoke Crystal, превысили 500 000 штук в год, удовлетворяя 30% внутреннего спроса;
Прорыв в оборудовании: травильная машина компании Zhongwei достигает точности 5 нм и применяется при производстве полупроводников третьего-поколения;
Стандартные настройки: В недавно пересмотренный стандарт GB/T4937-2024 добавлено 17 положений по проверке надежности автомобильных диодов, что вынуждает компании модернизировать свои производственные линии.