Как отличить PNP и NPN транзисторы?

1. Базовая структура транзисторов PNP и NPN
PNP-транзисторы состоят из двух полупроводниковых материалов P-типа, расположенных между полупроводниковым материалом N-типа, образуя последовательность расположения "PNP". В этой структуре область P-типа служит эмиттером (E) и коллектором (C), а область N-типа служит базой (B). PNP-транзисторы позволяют току течь от эмиттера к коллектору при прямом смещении (т. е. напряжение эмиттера выше, чем напряжение базы, а напряжение базы выше, чем напряжение коллектора).
В отличие от транзисторов PNP, транзисторы NPN состоят из двух полупроводниковых материалов N-типа, расположенных между полупроводниковым материалом P-типа, образуя последовательность расположения "NPN". Здесь область N-типа служит эмиттером и коллектором, а область P-типа служит базой. Транзисторы NPN позволяют току течь от эмиттера к коллектору при прямом смещении (т. е. напряжение эмиттера ниже напряжения базы, а напряжение базы ниже напряжения коллектора).
2. Различия в принципах работы
Когда база PNP-транзистора смещена положительно относительно эмиттера, а коллектор смещен отрицательно относительно базы, дырки (положительные носители заряда) в материале P-типа эмиттера притягиваются к области N-типа базы, образуя ток базы. В то же время часть этих дырок пересекает переход база-коллектор и входит в область P-типа коллектора, образуя ток коллектора. Принцип работы PNP-транзисторов зависит от потока и процесса рекомбинации дырок.
Принцип работы NPN-транзисторов основан на потоке электронов (отрицательных носителей заряда). Когда база NPN-транзистора положительно смещена относительно эмиттера, а коллектор положительно смещен относительно базы, электроны в материале N-типа эмиттера притягиваются к P-области базы, где они рекомбинируют с дырками, образуя ток базы. В то же время некоторые из этих электронов пересекают переход база-коллектор и попадают в N-область коллектора, образуя ток коллектора. NPN-транзисторы достигают усиления тока и управления переключением посредством потока и рекомбинации электронов.
3. Практические методы различения транзисторов PNP и NPN
Обратите внимание на расположение штифтов.
Хотя формы корпусов транзисторов разных производителей могут различаться, в общем случае расположение выводов транзисторов PNP и NPN подчиняется определенным правилам. Для обычных транзисторов в корпусе TO-92 расположение выводов транзисторов PNP обычно следующее (слева направо): эмиттер (E), база (B), коллектор (C); Расположение выводов транзисторов NPN обычно следующее (слева направо): эмиттер (E), база (B), коллектор (C). Однако это правило не является абсолютным, поэтому в практических приложениях необходимо комбинировать другие методы для оценки.
Измерьте мультиметром
Мультиметр является одним из самых прямых и часто используемых инструментов для различения транзисторов PNP и NPN. Установив мультиметр в режим проверки диодов (или аналогичный режим), можно измерить падение напряжения между контактами транзистора, чтобы определить его тип. Конкретный метод заключается в следующем:
Подключите красный щуп (положительный вывод) мультиметра к одному из выводов транзистора, а черный щуп (отрицательный вывод) к двум другим выводам последовательно. Наблюдайте за изменениями показаний мультиметра.
Для транзисторов PNP, когда черный щуп касается эмиттера, а красный щуп касается базы, мультиметр должен отображать небольшое прямое падение напряжения (примерно от {{0}}.6 В до 0.7 В), что указывает на то, что переход эмиттер-база находится в состоянии прямого смещения. Когда черный щуп касается коллектора, из-за состояния обратного смещения перехода коллектор-база показания мультиметра должны быть близки к бесконечности.
Для NPN-транзисторов ситуация обратная. Когда красный щуп касается эмиттера, а черный щуп касается базы, мультиметр должен показывать небольшое прямое падение напряжения; Когда красный щуп касается коллектора, показания мультиметра также должны быть близки к бесконечности.
https://www.trrsemicon.com/transistor/pnp-transistor-2sa1020-to-92mod.html